pdsm縮寫(xiě)是什么意思

PDSM英文含義

1、PDSM的英文全稱(chēng)：Product Data Systems Modernization (USAF) | 中文意思：───產(chǎn)品數據系統現代化(美國空軍)

2、PDSM的英文全稱(chēng)：Power Dragon Scale Mail | 中文意思：───電力龍郵件

3、PDSM的英文全稱(chēng)：Partidul Democratiei Sociale din Moldova (Party of Social Democracy in Moldova) | 中文意思：───社會(huì )Partidul Democratiei din摩爾多瓦(在摩爾多瓦的社會(huì )民主黨)

4、PDSM的英文全稱(chēng)：Problem Driven Scope Management (Theory of Constraints, Critical Chain Project Managmenent) | 中文意思：───問(wèn)題驅動(dòng)的范圍管理(約束理論的關(guān)鍵鏈項目Managmenent)

5、PDSM的英文全稱(chēng)：Project Design Standards Manual (Woodmoor Improvement Association; Monument, CO) | 中文意思：───項目設計標準手冊(Woodmoor促進(jìn)會(huì )；紀念碑、CO)

6、PDSM的英文全稱(chēng)：phosphorylation-dependent sumoylation motif | 中文意思：───**酸化依賴(lài)蘇素化的主題

7、PDSM的英文全稱(chēng)：Plasma Discharge Surface Modification (biomedicine) | 中文意思：───等離子體表面改性(生物醫藥)

場(chǎng)效應管的原理

電流Id控制Vg，基本原理，說(shuō)白了就是電流 控制電壓。和三極管不同時(shí)電流控制電流。

場(chǎng)效應管的原理

根據三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。 場(chǎng)效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管.由多數載流子參與導電,也稱(chēng)為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導體器件.

特點(diǎn):

具有輸入電阻高（100MΩ～1 000MΩ）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現象、安全工作區域寬、熱穩定性好等優(yōu)點(diǎn),現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者.

作用:

場(chǎng)效應管可應用于放大.由于場(chǎng)效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器.

場(chǎng)效應管可以用作電子開(kāi)關(guān).

場(chǎng)效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換.場(chǎng)效應管可以用作可變電阻.場(chǎng)效應管可以方便地用作恒流源. [編輯本段]2.場(chǎng)效應管的分類(lèi):　場(chǎng)效應管分結型、絕緣柵型(MOS)兩大類(lèi)

按溝道材料:結型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.

按導電方式:耗盡型與增強型,結型場(chǎng)效應管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應管既有耗盡型的,也有增強型的。

場(chǎng)效應晶體管可分為結場(chǎng)效應晶體管和MOS場(chǎng)效應晶體管,而MOS場(chǎng)效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類(lèi). [編輯本段]3.場(chǎng)效應管的主要參數 :　

Idss — 飽和漏源電流.是指結型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應管中,柵極電壓UGS=0時(shí)的漏源電流.

Up — 夾斷電壓.是指結型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應管中,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓.

Ut — 開(kāi)啟電壓.是指增強型絕緣柵場(chǎng)效管中,使漏源間剛導通時(shí)的柵極電壓.

gM — 跨導.是表示柵源電壓UGS — 對漏極電流ID的控制能力,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值.gM 是衡量場(chǎng)效應管放大能力的重要參數.

BVDS — 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓UGS一定時(shí),場(chǎng)效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項極限參數,加在場(chǎng)效應管上的工作電壓必須小于BVDS.

PDSM — 最大耗散功率,也是一項極限參數,是指場(chǎng)效應管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率.使用時(shí),場(chǎng)效應管實(shí)際功耗應小于PDSM并留有一定余量.

IDSM — 最大漏源電流.是一項極限參數,是指場(chǎng)效應管正常工作時(shí),漏源間所允許通過(guò)的最大電流.場(chǎng)效應管的工作電流不應超過(guò)IDSM

Cds---漏-源電容

Cdu---漏-襯底電容

Cgd---柵-漏電容

Cgs---漏-源電容

Ciss---柵短路共源輸入電容

Coss---柵短路共源輸出電容

Crss---柵短路共源反向傳輸電容

D---占空比（占空系數，外電路參數）

di/dt---電流上升率（外電路參數）

dv/dt---電壓上升率（外電路參數）

ID---漏極電流（直流）

IDM---漏極脈沖電流

ID(on)---通態(tài)漏極電流

IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）

IDS---漏源電流

IDSM---最大漏源電流

IDSS---柵-源短路時(shí)，漏極電流

IDS(sat)---溝道飽和電流（漏源飽和電流）

IG---柵極電流（直流）

IGF---正向柵電流

IGR---反向柵電流

IGDO---源極開(kāi)路時(shí)，截止柵電流

IGSO---漏極開(kāi)路時(shí)，截止柵電流

IGM---柵極脈沖電流

IGP---柵極峰值電流

IF---二極管正向電流

IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流

IDSS1---對管第一管漏源飽和電流

IDSS2---對管第二管漏源飽和電流

Iu---襯底電流

Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數）

gfs---正向跨導

Gp---功率增益

Gps---共源極中和高頻功率增益

GpG---共柵極中和高頻功率增益

GPD---共漏極中和高頻功率增益

ggd---柵漏電導

gds---漏源電導

K---失調電壓溫度系數

Ku---傳輸系數

L---負載電感（外電路參數）

LD---漏極電感

Ls---源極電感

rDS---漏源電阻

rDS(on)---漏源通態(tài)電阻

rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻

rGD---柵漏電阻

rGS---柵源電阻

Rg---柵極外接電阻（外電路參數）

RL---負載電阻（外電路參數）

R(th)jc---結殼熱阻

R(th)ja---結環(huán)熱阻

PD---漏極耗散功率

PDM---漏極最大允許耗散功率

PIN--輸入功率

POUT---輸出功率

PPK---脈沖功率峰值（外電路參數）

to(on)---開(kāi)通延遲時(shí)間

td(off)---關(guān)斷延遲時(shí)間

ti---上升時(shí)間

ton---開(kāi)通時(shí)間

toff---關(guān)斷時(shí)間

tf---下降時(shí)間

trr---反向恢復時(shí)間

Tj---結溫

Tjm---最大允許結溫

Ta---環(huán)境溫度

Tc---管殼溫度

Tstg---貯成溫度

VDS---漏源電壓（直流）

VGS---柵源電壓（直流）

VGSF--正向柵源電壓（直流）

VGSR---反向柵源電壓（直流）

VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數）

VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數）

Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數）

VGS(th)---開(kāi)啟電壓或閥電壓

V（BR）DSS---漏源擊穿電壓

V（BR）GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓

VDS(on)---漏源通態(tài)電壓

VDS(sat)---漏源飽和電壓

VGD---柵漏電壓（直流）

Vsu---源襯底電壓（直流）

VDu---漏襯底電壓（直流）

VGu---柵襯底電壓（直流）

Zo---驅動(dòng)源內阻

η---漏極效率（射頻功率管）

Vn---噪聲電壓

aID---漏極電流溫度系數

ards---漏源電阻溫度系數 [編輯本段]4.結型場(chǎng)效應管的管腳識別:　

判定柵極G:將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔,用萬(wàn)用表的負極任意接一電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)極,測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等,則負表筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換,若兩次測出的電阻都很大,則為N溝道;若兩次測得的阻值都很小,則為P溝道.

判定源極S、漏極D:

在源-漏之間有一個(gè)PN結,因此根據PN結正、反向電阻存在差異,可識別S極與D極.用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極. [編輯本段]5.場(chǎng)效應管與晶體三極管的比較　場(chǎng)效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件.在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場(chǎng)效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管.

晶體三極管與場(chǎng)效應管工作原理完全不同，但是各極可以近似對應以便于理解和設計：

晶體管： 基極 發(fā)射極 集電極

場(chǎng)效應管 ： 柵極 源極 漏極

要注意的是，晶體管(NPN型)設計發(fā)射極電位比基極電位低(約0.6V)，場(chǎng)效應管源極電位比柵極電位高（約0.4V)。

場(chǎng)效應管是利用多數載流子導電,所以稱(chēng)之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電,被稱(chēng)之為雙極型器件.

有些場(chǎng)效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好.

場(chǎng)效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用.

一、場(chǎng)效應管的結構原理及特性 場(chǎng)效應管有結型和絕緣柵兩種結構，每種結構又有N溝道和P溝道兩種導電溝道。

1、結型場(chǎng)效應管（JFET）

（1）結構原理 它的結構及符號見(jiàn)圖1。在N型硅棒兩端引出漏極D和源極S兩個(gè)電極，又在硅棒的兩側各做一個(gè)P區，形成兩個(gè)PN結。在P區引出電極并連接起來(lái)，稱(chēng)為柵極Go這樣就構成了N型溝道的場(chǎng)效應管

圖1、N溝道結構型場(chǎng)效應管的結構及符號

由于PN結中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導電的，形成了所謂耗盡區，從圖1中可見(jiàn)，當漏極電源電壓ED一定時(shí)，如果柵極電壓越負，PN結交界面所形成的耗盡區就越厚，則漏、源極之間導電的溝道越窄，漏極電流ID就愈??；反之，如果柵極電壓沒(méi)有那么負，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說(shuō)，場(chǎng)效應管是電壓控制元件。

（2）特性曲線(xiàn)

1）轉移特性

圖2（a）給出了N溝道結型場(chǎng)效應管的柵壓---漏流特性曲線(xiàn)，稱(chēng)為轉移特性曲線(xiàn)，它和電子管的動(dòng)態(tài)特性曲線(xiàn)非常相似，當柵極電壓VGS=0時(shí)的漏源電流。用IDSS表示。VGS變負時(shí)，ID逐漸減小。ID接近于零的柵極電壓稱(chēng)為夾斷電壓，用VP表示，在0≥VGS≥VP的區段內，ID與VGS的關(guān)系可近似表示為：

ID=IDSS（1-|VGS/VP|）

其跨導gm為：gm=（△ID/△VGS）|VDS=常微（微歐）|

式中：△ID------漏極電流增量（微安）

------△VGS-----柵源電壓增量（伏）

圖2、結型場(chǎng)效應管特性曲線(xiàn)

2）漏極特性（輸出特性）

圖2(b)給出了場(chǎng)效應管的漏極特性曲線(xiàn)，它和晶體三極管的輸出特性曲線(xiàn) 很相似。

①可變電阻區（圖中I區）在I區里VDS比較小，溝通電阻隨柵壓VGS而改變，故稱(chēng)為可變電阻區。當柵壓一定時(shí)，溝通電阻為定值，ID隨VDS近似線(xiàn)性增大，當VGS＜VP時(shí)，漏源極間電阻很大（關(guān)斷）。IP=0；當VGS=0時(shí)，漏源極間電阻很?。▽ǎ?，ID=IDSS。這一特性使場(chǎng)效應管具有開(kāi)關(guān)作用。

②恒流區（區中II區）當漏極電壓VDS繼續增大到VDS＞|VP|時(shí)，漏極電流，IP達到了飽和值后基本保持不變，這一區稱(chēng)為恒流區或飽和區，在這里，對于不同的VGS漏極特性曲線(xiàn)近似平行線(xiàn)，即ID與VGS成線(xiàn)性關(guān)系，故又稱(chēng)線(xiàn)性放大區。

③擊穿區（圖中Ⅲ區）如果VDS繼續增加，以至超過(guò)了PN結所能承受的電壓而被擊穿，漏極電流ID突然增大，若不加限制措施，管子就會(huì )燒壞。

2、絕緣柵場(chǎng)效應管

它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱(chēng)為金屬---氧化物---半導體場(chǎng)效應管，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS場(chǎng)效應管。

（1）結構原理

它的結構、電極及符號見(jiàn)圖3所示，以一塊P型薄硅片作為襯底，在它上面**兩個(gè)高雜質(zhì)的N型區，作為源極S和漏極D。在硅片表覆蓋一層絕緣物，然后再用金屬鋁引出一個(gè)電極G（柵極）由于柵極與其它電極絕緣，所以稱(chēng)為絕緣柵場(chǎng)面效應管。

圖3、N溝道（耗盡型）絕緣柵場(chǎng)效應管結構及符號

在制造管子時(shí)，通過(guò)工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時(shí)，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著(zhù)柵極電壓的變化而變化。

場(chǎng)效應管的式作方式有兩種：當柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱(chēng)為耗散型，當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱(chēng)為增強型。

（2）特性曲線(xiàn)

1）轉移特性（柵壓----漏流特性）

圖4（a）給出了N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應管的轉移行性曲線(xiàn)，圖中Vp為夾斷電壓（柵源截止電壓）；IDSS為飽和漏電流。

圖4（b）給出了N溝道增強型絕緣柵場(chǎng)效管的轉移特性曲線(xiàn)，圖中Vr為開(kāi)啟電壓，當柵極電壓超過(guò)VT時(shí)，漏極電流才開(kāi)始顯著(zhù)增加。

2）漏極特性（輸出特性）

圖5（a）給出了N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應管的輸出特性曲線(xiàn)。

圖5(b)為N溝道增強型絕緣柵場(chǎng)效應管的輸出特性曲線(xiàn) 。

圖4、N溝道MOS場(chǎng)效管的轉移特性曲線(xiàn)

圖5、N溝道MOS場(chǎng)效應管的輸出特性曲線(xiàn)

此外還有N襯底P溝道（見(jiàn)圖1）的場(chǎng)效應管，亦分為耗盡型號增強型兩種，

各種場(chǎng)效應器件的分類(lèi)，電壓符號和主要伏安特性（轉移特性、輸出特性） 二、場(chǎng)效應管的主要參數

1、夾斷電壓VP

當VDS為某一固定數值，使IDS等于某一微小電流時(shí)，柵極上所加的偏壓VGS就是夾斷電壓VP。

2、飽和漏電流IDSS

在源、柵極短路條件下，漏源間所加的電壓大于VP時(shí)的漏極電流稱(chēng)為IDSS。

3、擊穿電壓BVDS

表示漏、源極間所能承受的最大電壓，即漏極飽和電流開(kāi)始上升進(jìn)入擊穿區時(shí)對應的VDS。

4、直流輸入電阻RGS

在一定的柵源電壓下，柵、源之間的直流電阻，這一特性有以流過(guò)柵極的電流來(lái)表示，結型場(chǎng)效應管的RGS可達1000000000歐而絕緣柵場(chǎng)效應管的RGS可超過(guò)10000000000000歐。

5、低頻跨導gm

漏極電流的微變量與引起這個(gè)變化的柵源電壓微數變量之比，稱(chēng)為跨導，即

gm= △ID/△VGS

它是衡量場(chǎng)效應管柵源電壓對漏極電流控制能力的一個(gè)參數，也是衡量放大作用的重要參數，此參靈敏常以柵源電壓變化1伏時(shí)，漏極相應變化多少微安（μA/V）或毫安（mA/V）來(lái)表示

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金屬氧化物半導體場(chǎng)效應三極管的基本工作原理是靠半導體表面的電場(chǎng)效應，在半導體中感生出導電溝道來(lái)進(jìn)行工作的。當柵 g 電壓vg 增大時(shí)， p 型半導體表面的多數載流子棗空穴減少、耗盡，而電子積累到反型。當表面達到反型時(shí)，電子積累層將在 n+ 源區 s 和 n+ 漏區 d 形成導電溝道。當 vds ≠ 0 時(shí)，源漏電極有較大的電流ids流過(guò)。使半導體表面達到強反型時(shí)所需加的柵源電壓稱(chēng)為閾值電壓vt。當 vgs>vt并取不同數值時(shí)，反型層的導電能力將改變，在的vds下也將產(chǎn)生不同的ids, 實(shí)現柵源電壓vgs對源漏電流ids的控制。

場(chǎng)效應管（fet）是電場(chǎng)效應控制電流大小的單極型半導體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，在大規模和超大規模集成電路中被應用。

fet和雙極型三極管相類(lèi)似，電極對應關(guān)系是b®g、e®s、c®d；由fet組成的放大電路也和三極管放大電路相類(lèi)似，三極管放大電路基極回路一個(gè)偏置電流(偏流)，而fet放大電路的場(chǎng)效應管柵極沒(méi)有電流，fet放大電路的柵極回路一個(gè)合適的偏置電壓(偏壓)。

fet組成的放大電路和三極管放大電路的主要區別：場(chǎng)效應管是電壓控制型器件，靠柵源的電壓變化來(lái)控制漏極電流的變化，放大作用以跨導來(lái)；三極管是電流控制型器件，靠基極電流的變化來(lái)控制集電極電流的變化，放大作用由電流放大倍數來(lái)。

場(chǎng)效應管放大電路分為共源、共漏、共柵極三種組態(tài)。在分析三種組態(tài)時(shí)，可與雙極型三極管的共射、共集、共基對照，體會(huì )二者間的相似與區別之處。