1、gate charge

gate charge發(fā)音

英：　　美：

gate charge中文意思翻譯

常用釋義：柵極電荷：指場(chǎng)效應管或金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管中

閘極電荷；選通電極充電

gate charge雙語(yǔ)使用場(chǎng)景

1、Impact ionization arises from a charge injector (25), defining a virtual diode (30) in the substrate (20) of a floating gate charge storage transistor (11).───碰撞電離通過(guò)一在一浮柵電荷存儲晶體管(11)的襯底(20)中限定一虛擬二極管(30)的電荷注入器(25)而產(chǎn)生。

2、Features: Low gate charge, low crss , fast switch.───特點(diǎn)：低柵電荷，低反饋電容，開(kāi)關(guān)速度快。

3、Study on a Novel Gate Charge Retention Voltage-Driven Synchronous Rectifier───新型柵極電荷保持驅動(dòng)同步整流器的研究

4、the minimum charge sub-sea sharks to switch from each of the minimum gate charge fraction, the default is 10 minutes.───鯊魚(yú)海洋最小押分切換每一門(mén)的最小起押分數，默認為10分。

5、In order to describe the characteristics of VDMOS device more intuitively, this paper mainly focuses on the gate charge test.───為了更直觀(guān)地描述低壓大電流VDMOS器件特性，對器件柵電荷特性進(jìn)行了測量和提取。

6、This article takes gate charge characteristics into account and then introduces some methods for calculating output performance of drivers used for switching IGBTs.───本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹了一些計算用于開(kāi)關(guān)igbt的驅動(dòng)器輸出性能的方法。

gate charge相似詞語(yǔ)短語(yǔ)

1、charge ahead───提前收費；提前充電

2、gate chalk───門(mén)粉筆

3、sulphates charge───硫酸鹽電荷

4、la gate───拉門(mén)

5、charge───vt.使充電；使承擔；指責；裝載；對…索費；向…沖去；n.(Charge)人名；(法)沙爾熱；(英)查奇；n.費用；電荷；掌管；控告；命令；負載；vi.充電；控告；索價(jià)；向前沖；記在賬上

6、service charge───n.服務(wù)費

7、gate───vt.給…裝大門(mén)；n.(Gate)人名；(英)蓋特；(法、瑞典)加特；n.大門(mén)；出入口；門(mén)道

8、arrival gate───到達口；下機門(mén)

9、charge number───負載量

2、2D NAND和3D NAND間有哪些區別和聯(lián)系

3D NAND是相對于原先的NAND在工藝上的提升，可以理解為把原先平面的存儲單元構建為立體的，這樣一片晶元上存儲的cell會(huì )更多。

傳統的2D NAND工藝到16nm就已經(jīng)飽和了，而3D通過(guò)增加縱軸的疊層數目可以繼續演進(jìn)三代左右（現有的技術(shù)一般是32層或48層，個(gè)人預測未來(lái)終結產(chǎn)品會(huì )發(fā)展到128層）。同一片晶元上存儲單元越多即意味著(zhù)每個(gè)bit的成本更低。

而3D X point則和3D NAND完全不同，NAND是基于floating gate/charge-trap gate MOS技術(shù)，而x point則是基于phase change material。通俗的說(shuō)，NAND是通過(guò)晶體管上充放電來(lái)存儲數據，而x point是通過(guò)材料是熔化或凝固狀態(tài)來(lái)存儲數據。從性能上而言，x point會(huì )遠遠超過(guò)NAND，這可是Micron和Intel合伙憋了很多年的大殺器，如果能很快的解決現在yield lost問(wèn)題，會(huì )改變以后存儲世界的格局。